6月13日消息，据媒体报道，在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上，三星公布了最新的半导体芯片工艺路线图。
三星宣布将在2025年量产2nm芯片，计划在2027年量产1.4nm芯片，其中三星的2nm工艺布局了多个节点，第一代2nm工艺是SF2，后续三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多个节点。
据悉，三星第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，最先进的2nm工艺节点SF2Z将于2027年量产商用，它采用先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以提高电源效率。
值得注意的是，三星2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。
值得注意的是，在今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率。
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